電験三種 理論 2023年度 下期 問18(a)

図1は,飽和領域で動作する接合形FETを用いた増幅回路を示し,図中のvi並びにvoはそれぞれ,入力と出力の小信号交流電圧[V]を表す。また,図2は,その増幅回路で使用するFETのゲート-ソース間電圧Vgs[V]に対するドレーン電流Id[mA]の特性を示している。抵抗RG=1MΩ,RD=5kΩ,RL=2.5kΩ,直流電源電圧VDD=20Vとするとき,次の(a)及び(b)の問に答えよ。図2 (a) FETの動作点が図2の点Pとなる抵抗RSの値[k]として,最も近いものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。