問21
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フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。
高速に書換えができ，CPUのキャッシュメモリに用いられる。
紫外線で全内容の消去ができる。
周期的にデータの再書込みが必要である。
ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。
フラッシュメモリは電気的にブロック単位で内容を一括消去して書き換える不揮発性メモリです。紫外線消去はEPROM、周期的な再書込み(リフレッシュ)が要るのはDRAMの特徴で、キャッシュ用途でもありません。
