問10
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NAND型フラッシュメモリに関する記述として、適切なものはどれか。
バイト単位で書込み、ページ単位で読出しを行う。
バイト単位で書込み及び読出しを行う。
ページ単位で書込み、バイト単位で読出しを行う。
ページ単位で書込み及び読出しを行う。
NAND型フラッシュメモリは、ページ単位で書込みも読出しも行います(消去はブロック単位)。よって正解はエ。バイト単位でのアクセスとする記述は誤りです。
