問13
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FeRAMの説明として、適切なものはどれか。
1ビットのメモリセルは4〜6個のトランジスタで構成される。
データ保持のためにリフレッシュが必要である。
バイト単位で書換えができず、ブロック単位で一括して書き換える。
フラッシュメモリよりも書換え可能回数が多く、書換え速度も高速にできる。
FeRAM(強誘電体メモリ)は不揮発性メモリで、フラッシュメモリに比べて書換え可能回数が多く、書換え速度も高速にできます。リフレッシュ不要でバイト単位の書換えも可能なので、DRAMやフラッシュの特徴を述べた他の選択肢は該当しません。
