問10
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相変化メモリの説明として、適切なものはどれか。
一度だけ書込みが可能な不揮発性メモリ
結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する不揮発性メモリ
フリップフロップ回路で構成された揮発性メモリ
リフレッシュ動作が必要な揮発性メモリ
相変化メモリ(PCM/PRAM)は、材料の結晶状態と非結晶(アモルファス)状態で電気抵抗が変化することを利用して情報を記憶する不揮発性メモリで正解はイです。アはPROM、ウはSRAM、エはDRAMの説明にあたります。
