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秋期
エンベデッドシステムスペシャリスト 2025年 秋期 問3
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FeRAMの説明として、適切なものはどれか。
正解と解説
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正解 エ
フラッシュメモリよりも書換え可能回数が多く、書換え速度も高速にできる。
FeRAM(強誘電体メモリ)は不揮発性で、フラッシュメモリより書換え可能回数が桁違いに多く、書換え速度も高速です。よってエが正解。アは6トランジスタのSRAM、イはリフレッシュが必要なDRAM、ウはブロック単位書換えのフラッシュメモリの説明であり、FeRAMには当てはまりません。