問11
フラッシュメモリにおけるウェアレベリングの説明として、適切なものはどれか。
各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように、物理的な書込み位置を選 択する。
記憶するセルの電子の量に応じて、複数のビット情報を記録する。
不良のブロックを検出し,交換領域にある正常な別のブロックで置き換える。
ブロック単位でデータを消去し、新しいデータを書き込む。