国家試験問題
診療放射線技師国家試験 第77回 問167
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IGBT〈絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ〉で誤っているのはどれか。
正解と解説
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正解 5
バイポーラトランジスタと比較してスイッチング速度が遅い。
IGBTはMOS FETのゲート構造とバイポーラトランジスタの電流駆動能力を組合せた素子であり、バイポーラトランジスタと比較してスイッチング速度は速いという特長を持つため、この記述は誤りである。ゲート電圧でコレクタ電流を制御でき、MOS FETよりオン抵抗が小さい点は正しい。