診療放射線技師国家試験 第77回 問167

コレクタ電流の大きさを制御できる。

MOS FETと比較してオン抵抗が小さい。

ゲート、エミッタ及びコレクタの端子を持つ。

MOS FETとトランジスタを組合せた構造である。

バイポーラトランジスタと比較してスイッチング速度が遅い。