A問題
下期
電験三種 理論 2023年度 下期 問11
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FETは,半導体の中を移動する多数キャリアを (ア) 電圧により生じる電界によって制御する素子であり,接合形と (イ) 形がある。次の図記号は接合形の (ウ) チャネルFETを示す。上記の記述中の空白箇所(ア)~(ウ)に当てはまる組合せとして,正しいものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。(選択肢は右側に記載) (ア) (イ) (ウ)
正解と解説
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正解 1
ゲート MOS n
FETは、ゲートに加えた電圧がつくる電界によってチャネル中の多数キャリアの流れを制御する素子で、接合形とMOS形がある。図記号ではゲートの矢印がチャネルに向かって内向きに描かれており、これはnチャネル接合形FETを表す(pチャネルでは矢印が外向きになる)。したがって(ア)ゲート、(イ)MOS、(ウ)nの組合せとなる。