電験三種 理論 2024年度 上期 問11

バイポーラトランジスタは,消費電力がFETより大きい。

バイポーラトランジスタは,静電気に対してFETより破壊されにくい。

バイポーラトランジスタの入力インピーダンスは,FETのそれよりも低い。

バイポーラトランジスタは電圧制御素子,FETは電流制御素子といわれる。

バイポーラトランジスタのコレクタ電流は自由電子及び正孔の両方が関与し,FETのドレーン電流は自由電子又は正孔のどちらかが関与する。