電験三種 理論 2022年度 上期 問18(b)

図1,図2及び図3は,トランジスタ増幅器のバイアス回路を示す。次の(a)及び(b)の問に答えよ。ただし,VCCは電源電圧,VBはベース電圧,IBはベース電流,ICはコレクタ電流,IEはエミッタ電流,R, RB, RC及びREは抵抗を示す。図1図2図3 (b) 次の文章a,b及びcは,それぞれのバイアス回路における周囲温度の変化と電流ICとの関係について述べたものである。ただし,hFEは直流電流増幅率を表す。

• a温度上昇によりhFEが増加するとICが増加し,バイアス安定度が悪いバイアス回路の図は (ア) である。
• bhFEの変化によりICが増加しようとすると,VBはほぼ一定であるからVBEが減少するので,ICやIEの増加を妨げるように働く。ICの変化の割合が比較的低く,バイアス安定度が良いものの,電力損失が大きいバイアス回路の図は (イ) である。
• chFEの変化によりICが増加しようとすると,RCの電圧降下も増加することでコレクタ・エミッタ間の電圧VCEが低下する。これによりRの電圧が減少してIBが減少するので,ICの増加が抑えられるバイアス回路の図は (ウ)である。上記の記述中の空白箇所(ア)~(ウ)に当てはまる組合せとして,正しいものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。(ア) (イ) (ウ)