電験三種 理論 2024年度 下期 問11

エンハンスメント形はゲート電圧に関係なくチャネルができる。

エンハンスメント形MOS FETは、ゲート電圧が零のときにはチャネルが形成されず、しきい値電圧以上のゲート電圧を加えて初めて反転層(チャネル)ができてドレーン電流が流れます。ゲート電圧に関係なくあらかじめチャネルが存在するのはデプレション形の特徴なので、記述5が誤りです。ほかの記述、すなわち接合形とMOS形の分類、チャネルにn形とp形があること、MOS形がデプレション形とエンハンスメント形に分けられること、ゲート電圧(電界)で多数キャリヤの移動を制御することは、いずれもFETの正しい説明です。